Генеральный директор Spondoolies-Tech рассказывает о новых микросхемах ASIC и устройстве «блокчейн-лотереи»

На выходных CoinDesk встретился с генеральным директором Spondoolies-Tech Гаем Коремом, чтобы обсудить разработку компанией чипов ASIC третьего и четвертого поколения для майнинга Bitcoin .

В прошлом месяце израильский разработчик ASIC для Bitcoin анонсировали два будущих дизайна чипов и привлечение 5 млн долларов США в рамках текущего раунда финансирования серии B.

Корем оттачивал свои навыки, работая инженером по программному обеспечению и прошивкам в Intel. Примечательно, что штаб-квартира Spondoolies-Tech находится всего в паре минут от 22-нм литейного завода Intel в Кирьят-Гате.

Генеральный директор с удовольствием рассказал о дорожной карте компании ASIC на 2015 год и подробно рассказал о планах своей компании по предстоящему переходу наFinFET транзисторы.

Spondoolies-Tech

в настоящее время работает над двумя отдельными проектами: 28-нм ASIC, запуск которой запланирован на начало 2015 года, а также чипы четвертого поколения, изготовленные с использованием неуказанного узла FinFET.

Большинство компаний по производству Криптовалюта ASIC не раскрывают своих партнеров по производству, и Spondoolies не является исключением. Вместо того, чтобы описывать новый чип как 14-нм или 16-нм дизайн, что более или менее идентифицировало бы литейное производство, Corem предпочитает использовать терминологию FinFET «продвинутый процесс».

Пропуск 20-нм узла

Corem указал, что Spondoolies приняла осознанное решение полностью отказаться от 20-нм техпроцесса.

Технологический процесс 20 нм, в настоящее время предлагаемый Тайваньская компания по производству полупроводников(TSMC) и Samsung, рассматривается как промежуточный процесс на пути к 14 нм/16 нм узлам FinFET.

Узел 20 нм обеспечивает гораздо более высокую плотность затворов по сравнению с узлами 28 нм и, в отличие от процессов FinFET, уже доступен для массового производства. Узел 20 нм LP в настоящее время используется в чипах Apple A8, новейших конструкциях серии Samsung Exynos System-on-Chip и грядущем процессоре Qualcomm Snapdragon 810, который будет использоваться в большинстве флагманских телефонов в следующем году.

Однако, хотя 20-нм процесс обеспечивает значительное снижение утечек по сравнению с 28-нм узлами, теоретическая скорость снижается из-за использования очень маленьких планарных транзисторов.

В результате многие компании отказываются от 20-нм техпроцесса для высокопроизводительных чипов, таких как флагманские графические процессоры, оставляя 20-нм техпроцесс для использования в энергоэффективных процессорах мобильных приложений и модемах, а не в высокопроизводительных чипах с «большим CORE».

Компания Spondoolies-Tech решила придерживаться проверенного 28-нм техпроцесса для своих ASIC третьего поколения, несмотря на то, что первый чип FinFET компании поступит в продажу через пару месяцев после того, как конкуренты выпустят свои 16-нм FinFET ASIC.

«У нас есть собственный дизайн третьего поколения, по-прежнему 28 нм, который будет сопоставим с их 16-нм дизайном», — сказал Корем.

Он добавил, что запуск третьего поколения запланирован на конец первого квартала или начало второго квартала следующего года. Это указывает на временные рамки марта/апреля.

Использование зрелого узла дает ряд преимуществ, пояснил Корем. Пластины 16 нм в два раза дороже версий 28 нм, производство идет намного медленнее из-за ограниченной мощности, а зрелые процессы в целом обеспечивают более высокую производительность.

Хотя узлы FinFET обеспечивают значительное повышение производительности, зрелые узлы по-прежнему имеют смысл с финансовой точки зрения.

Корем сказал:

«Два самых важных фактора в этой отрасли: GH/s/mm2 — это измерение в $/GH/s — плотность кристалла в GH/s, которая является мерой необходимых капитальных затрат, и, конечно, J/GH (W/GH/s), которая является мерой необходимых операционных затрат. Третий, часто упускаемый из виду параметр — это процент пластин в общей спецификации материалов майнера».

Меры по сокращению расходов

Корем отметил, что Spondoolies-Tech также изучает различные способы снижения затрат на развертывание и эксплуатацию.

Он обозначил две концепции, которые следует реализовать в следующем году:

«Наш следующий форм-фактор майнера допускает сменные платы хеширования. Кроме того, мы экспериментируем с инновационными недорогими методами разработки».

Модульный подход позволит клиентам повторно использовать всю платформу, за исключением плат хеширования, что позволит сократить расходы на обновление.

Однако платформа следующего поколения от Spondoolies-Tech не подойдет для домашнего майнинга, поскольку она будет оснащена 10 хэш-платами, каждая из которых будет иметь собственный блок питания.

В то же время Spondoolies-Tech надеется поддержать децентрализацию сети, добавив так называемыеASIC «умная собственность»в свой портфель. Эти продукты должны появиться во второй половине 2015 года, но информация ограничена.

Устройство «Блокчейн-лотереи»

Компания также участвует в разработке еще одного нетрадиционного продукта, называемого устройством «блокчейн-лотереи».

TheТехнобитные костинебольшой 150 GH/s настольный USB-майнер на основе старого RockerBox ASIC Spondoolies. Хотя чип не является конкурентоспособным на данный моментуровень сложности, устройство стоимостью 78 евро призвано помочь децентрализовать сеть и вернуть часть вычислительной мощности в руки отдельных лиц, а не майнеров промышленного масштаба.

Dice можно использовать как майнер начального уровня, но это не его суть. Установка специального программного обеспечения позволяет Dice работать как устройство для лотереи на блокчейне, предоставляя пользователю шанс 150/300 000 000 WIN 25 BTC каждые 10 минут.

Он использует стандартный блок питания ATX или блок питания 10A brick, предоставляемый пользователем, и обеспечивает энергоэффективность при 150 ГХ/с, равную 0,7 Вт на ГХ/с. Хотя Dice не предлагает захватывающей дух производительности, он предлагает энтузиастам стимул вернуться в игру майнинга без необходимости вкладывать тысячи долларов в передовое оборудование.

Более подробную информацию о доступных вариантах производства FinFET 14 нм и 16 нм см. в статье CoinDeskАнонс KnCMiner Solar.

Вафляизображение через Shutterstock